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晶體管 FDD8444 MOSFET

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產品信息

FDD8444介紹：

描述 MOSFET N-CH 40V 145A DPAK

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 23 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 40V 145A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 PowerTrench?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 40V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 145A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.2 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 116nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6195pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 153W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TO-252AA

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。

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