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晶體管 STF15N60M2-EP FET

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產品信息

STF15N60M2-EP介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 42 周

詳細描述通孔 N 溝道 600V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMICroelectronics

系列 MDmesh? M2-EP

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 11A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 378 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 17nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 590pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 25W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220FP

封裝/外殼 TO-220-3 整包

場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管.

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