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晶體管 SIHB33N60E MOSFET - 單

類型：
分立半導體產品

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產品信息

SIHB33N60E介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述表面貼裝 N 溝道 600V 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 -

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零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 99 毫歐 @ 16.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 150nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3508pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 278W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。

公司介紹

安富微（深圳）商貿有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責任，細管理，強服務，善溝通，靜精業(yè)務，富創(chuàng)意” 的銷售團隊.快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現已發(fā)展成為國內知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。

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晶體管 SIHB33N60E MOSFET - 單

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