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晶體管 SQD30N05-20L_GE3 MOSFET - 單

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產品信息

SQD30N05-20L_GE3介紹：

描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述表面貼裝 N 溝道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列汽車級，AEC-Q101，TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 55V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 30A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 20 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 18nC @ 5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1175pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 50W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TO-252AA

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。

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