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晶體管 AOV20S60 MOSFET

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產品信息

AOV20S60介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）

制造商標準提前期 20 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 600V 3.6A（Ta），18A（Tc） 8.3W（Ta），278W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Alpha & Omega SemIConductor Inc.

系列 aMOS??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.6A（Ta），18A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 250 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 20nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1038pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 8.3W（Ta），278W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 4-DFN-EP（8x8）

封裝/外殼 4-PowerTSFN

當一個夠大的電位差施于金氧半場效晶體管的柵極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成所謂的“反轉溝道”（inversion channel）。

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