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晶體管 FGAF20N60SMD MOSFET

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產品信息

FGAF20N60SMD介紹：

描述 IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 44 周

詳細描述 IGBT Field Stop 600V 40A 75W Through Hole TO-3PF

類別分立半導體產品

晶體管 - UGBT，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

IGBT 類型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 40A

脈沖電流 - 集電極 (Icm) 60A

不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 1.7V @ 15V，20A

功率 - 最大值 75W

開關能量 452μJ（開），141μJ（關）

輸入類型標準

柵極電荷 64nC

25°C 時 Td（開/關）值 12ns/91ns

測試條件 400V，20A，10 歐姆，15V

反向恢復時間（trr） 26.7ns

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

封裝/外殼 SC-94

供應商器件封裝 TO-3PF

從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，現代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。

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