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晶體管 BSC093N04LS MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

BSC093N04LS介紹：

描述 MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 40V 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 13A（Ta），49A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 9.3 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 14μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 24nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），35W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8

封裝/外殼 8-PowerTDFN

金氧半場效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊.快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。

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晶體管 BSC093N04LS MOSFET

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