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晶體管 PUMH20 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

PUMH20介紹：

描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預(yù)偏置

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

晶體管類型 2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）

電流 - 集電極（IC）（最大值） 100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V

電阻器 - 基底（R1） 2.2 千歐

電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 2.2 千歐

不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 30 @ 20mA，5V

不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA

電流 - 集電極截止（最大值） 1μA

頻率 - 躍遷 -

功率 - 最大值 300mW

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商器件封裝 6-TSSOP

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊(duì).快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。

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