TK16J60W介紹:
描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 600V 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 DTMOSIV
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 15.8A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 190 毫歐 @ 7.9A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 790μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 300V FET 功能 超級結(jié)
功率耗散(最大值) 130W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-3P(N)
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3
晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件,例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)械方面,晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備,因?yàn)樗ǔJ歉阋?、更有效地,僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計(jì)算機(jī)程序來完成同樣的機(jī)械任務(wù),使用電子控制,而不是設(shè)計(jì)一個(gè)等效的機(jī)械控制。因?yàn)榫w管的低成本和后來的電子計(jì)算機(jī)、數(shù)字化信息的浪潮來到了。