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晶體管 IRFU5305PBF MOSFET - 單

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產品信息

IRFU5305PBF介紹：

描述 MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 26 周

詳細描述通孔 P 溝道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 55V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 31A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 16A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 63nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 110W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 IPAK（TO-251）

封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

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