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晶體管 - UGBT FGL35N120FTDTU MOSFET

產品信息

FGL35N120FTDTU介紹:
描述 IGBT 1200V 70A 368W TO264
制造商標準提前期 44 周
詳細描述 IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
IGBT 類型 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 105A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.2V @ 15V,35A
功率 - 最大值 368W
開關能量 2.5mJ(開), 1.7mJ(關)
輸入類型 標準
柵極電荷 210nC
25°C 時 Td(開/關)值 34ns/172ns
測試條件 600V,35A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr) 337ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-264-3,TO-264AA
供應商器件封裝 TO-264


以金氧半場效晶體管(MOSFET)的命名來看,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal(金屬)”的第一個字母M,在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料,但隨著半導體技術的進步,現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
 
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