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晶體管 FDP51N25 FET-MOSFET

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產品信息

FDP51N25介紹：

描述 MOSFET N-CH 250V 51A TO-220

制造商標準提前期 10 周

詳細描述通孔 N 溝道 250V 51A（Tc） 320W（Tc） TO-220-3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 UniFET??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 250V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 51A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 60 毫歐 @ 25.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 70nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3410pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 320W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220-3

封裝/外殼 TO-220-3

判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。

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