STB80NF10T4介紹:
描述 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
制造商標準提前期 38 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 100V 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMICroelectronics
系列 STripFET?? II
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 15 毫歐 @ 40A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 182nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
半導體三極管是內部含有兩個PN結,外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用,應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路,叫做晶體管-晶體管邏輯電路,書刊和實用中都簡稱為TTL電路,它屬于半導體集成電路的一種,其中用得最普遍的是TTL與非門。