買賣IC網 > 電子元器件 > 庫存電子元器件、材料

晶體管 BSP299H6327XUSA1 MOSFET - 單

5000多家會員為您找貨報價，SO EASY！

相關產品

產品信息

BSP299H6327XUSA1介紹：

描述 MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

制造商標準提前期 26 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 SIPMOS?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 500V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 400mA（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4 歐姆 @ 400mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 PG-SOT223-4

封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA

從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，現代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。

安富微（深圳）商貿有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責任，細管理，強服務，善溝通，靜精業務，富創意” 的銷售團隊.快速變化的市場環境中，我們始終秉承著“服務于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現已發展成為國內知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。