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晶體管 TK31A60W MOSFET - 單

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產品信息

TK31A60W介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

制造商標準提前期 16 周

詳細描述通孔 N 溝道 600V 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS

復制

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 DTMOSIV

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 30.8A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 88 毫歐 @ 15.4A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 86nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V

FET 功能超級結

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220SIS

封裝/外殼 TO-220-3 整包

晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設計一個等效的機械控制。

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