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晶體管 - UGBT IKP40N65F5 MOSFET

  • 類型:

    分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IKP40N65F5介紹:
描述 IGBT 650V 74A 255W TO220-3
詳細描述 IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 650V
電流 - 集電極(IC)(最大值) 74A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 120A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值 255W
開關(guān)能量 360μJ(開),100μJ(關(guān))
輸入類型 標準
柵極電荷 95nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值 19ns/160ns
測試條件 400V,20A,15 歐姆,15V
反向恢復時間(trr) 60ns
工作溫度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO-220-3

而IGFET的柵極絕緣層,有可能是其他物質(zhì),而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管組件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是金氧半場效晶體管。
 
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公司介紹

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