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晶體管 NTR0202PLT1G 分立半導體產品

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產品信息

NTR0202PLT1G介紹：

描述 MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23

制造商標準提前期 10 周

詳細描述表面貼裝 P 溝道 20V 400mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 400mA（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 800 毫歐 @ 200mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 2.18nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 70pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 225mW（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

設計和開發一個復雜芯片的成本是相當高的，但是當分攤到通常百萬個生產單位上，每個芯片的價格就是最小的。一個邏輯門包含20個晶體管，而2005年一個高級的微處理器使用的晶體管數量達2.89億個。

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