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晶體管 FQT5P10 MOSFET - 單

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FQT5P10介紹：

描述 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周

詳細(xì)描述表面貼裝 P 溝道 100V 1A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.05 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 SOT-223-4

封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA

當(dāng)一個夠大的電位差施于MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n-type，那么通道也會是n-type。

公司介紹

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晶體管 FQT5P10 MOSFET - 單

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