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晶體管 SI7141DP MOSFET - 單

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產品信息

SI7141DP介紹：

描述 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

制造商標準提前期 32 周

詳細描述表面貼裝 P 溝道 20V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.9 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 400nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 14300pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 6.25W（Ta），104W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8

封裝/外殼 PowerPAK? SO-8

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。

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