買賣IC網(wǎng) > 電子元器件 > 庫存電子元器件、材料

晶體管 FQB1P50 FET-MOSFET

類型：
分立半導體產(chǎn)品

發(fā)布詢價信息

5000多家會員為您找貨報價，SO EASY！

相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

FQB1P50介紹：

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 500V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.5A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 10.5 歐姆 @ 750mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 14nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），63W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導體技術(shù)的進步，現(xiàn)代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責任，細管理，強服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團隊.快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。

欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

晶體管 FQB1P50 FET-MOSFET

產(chǎn)品信息

公司介紹

相關(guān)產(chǎn)品