STW77N65M5介紹:
描述 MOSFET N-CH 650V 69A TO-247
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 通孔 N 溝道 650V 69A(Tc) 400W(Tc) TO-247-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMICroelectronics
系列 MDmesh? V
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 69A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 38 毫歐 @ 34.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V
Vgs(最大值) 25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 9800pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 400W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發射極到集電極之間,產生大電流;在場效應晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。