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晶體管 TN2106K1-G FET-MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

TN2106K1-G介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 60V 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 MICrochip Technology

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 280mA（Tj）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2.5 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 360mW（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB（SOT23）

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

金氧半場效晶體管里的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的高級(jí)制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。

公司介紹

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晶體管 TN2106K1-G FET-MOSFET

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