2N7002LT1G介紹:
描述 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 44 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 115mA(Tc) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 115mA(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 7.5 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn),既快速又符合高性價比。