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晶體管 SUD35N10-26P-GE3 FET-MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

發(fā)布詢價(jià)信息

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產(chǎn)品信息

SUD35N10-26P-GE3介紹：

描述 MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 100V 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 35A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 26 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 47nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 12V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 8.3W（Ta），83W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 TO-252，（D-Pak）

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路；在計(jì)算機(jī)電源中，主要用于開關(guān)電源。

威世硅尼克斯 (Vishay Siliconix)是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊(duì).快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。

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晶體管 SUD35N10-26P-GE3 FET-MOSFET

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