IRF7832TRPBF介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 20A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 155°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發射極到集電極之間,產生大電流;在場效應晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。
英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈。在研發方面,英飛凌在上海、西安建立了研發中心,利用國內的人才資源,參與全球的重點項目研究;在無錫的后道生產工廠,為中國及全球其他市場生產先進的芯片產品;2011年,英飛凌集成電路(北京)有限公司正式開業,并在亦莊開發區建立了專注于面向風電高鐵等行業的IGBT模塊的制造。