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晶體管 IRF5210STRLPBF MOSFET - 單

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產品信息

IRF5210STRLPBF介紹：

描述 MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

詳細描述表面貼裝 P 溝道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 38A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 60 毫歐 @ 38A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 230nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2780pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），170W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。

Infineon公司是全球十大半導體制造商之一。1999年5月1日，西門子半導體公司正式更名為Infineon，總部設在德國慕尼黑。主要生產汽車和工業電子芯片、保密及IC卡應用IC、通訊多媒體芯片、存儲器件等。

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