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晶體管 DTC144EUAT106 雙極 (BJT) - 單，預偏置

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產品信息

DTC144EUAT106介紹：

描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

類別分立半導體產品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態不適用於新設計

晶體管類型 NPN - 預偏壓

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 30mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V

電阻器 - 基底（R1） 47 kOhms

電阻器 - 發射極基底（R2） 47 kOhms

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA

電流 - 集電極截止（最大值） 500nA

頻率 - 躍遷 250MHz

功率 - 最大值 200mW

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 SC-70，SOT-323

供應商器件封裝 UMT3

基本零件編號 DTC144

晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器）。

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