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晶體管 STT4P3LLH6 MOSFET - 單

類型：
分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

STT4P3LLH6介紹：

描述 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

制造商標準提前期 38 周

詳細描述表面貼裝 P 溝道 30V 4A（Ta） 1.6W（Ta） SOT-23-6

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMICroelectronics

系列 DeepGATE?，STripFET? H6

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 56 毫歐 @ 2A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 6nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 639pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-23-6

封裝/外殼 SOT-23-6

溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

公司自1994年起公開上市，意法半導體股票在紐約證券交易所(交易代碼:STM)、泛歐巴黎證券交易所和意大利米蘭證券交易所掛牌上市。

公司介紹

安富微（深圳）商貿有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責任，細管理，強服務，善溝通，靜精業(yè)務，富創(chuàng)意” 的銷售團隊.快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。

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晶體管 STT4P3LLH6 MOSFET - 單

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