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晶體管 MJD122T4G 雙極 (BJT) - 單

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產品信息

MJD122T4G介紹：

描述 TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

制造商標準提前期 17 周

詳細描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK

類別分立半導體產品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

晶體管類型 NPN - 達林頓

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 8A

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 100V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 4V @ 80mA，8A

電流 - 集電極截止（最大值） 10μA

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 4A，4V

功率 - 最大值 1.75W

頻率 - 躍遷 4MHz

工作溫度 -65°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

供應商器件封裝 DPAK

基本零件編號 MJD122

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