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晶體管 FQP33N10 半導體產品

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產品信息

FQP33N10介紹：

描述 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

制造商標準提前期 7 周

詳細描述通孔 N 溝道 100V 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝管件

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 52 毫歐 @ 16.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 51nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 127W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220-3

封裝/外殼 TO-220-3

不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優勢得以發揮。因為晶體管的低成本和后來的電子計算機，數字化信息的浪潮來到了。

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