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晶體管 IRFIZ34GPBF MOSFET - 單

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產品信息

IRFIZ34GPBF介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP

制造商標準提前期 18 周

詳細描述通孔 N 溝道 60V 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 -

包裝管件

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 50 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 46nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 42W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220-3

封裝/外殼 TO-220-3 全封裝，隔離接片

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

1962年，在后來Alfred P. Slaner的資金支持下Zandman博士創立了威世公司，當時以發展和制造Bulk Metal箔電阻為主。 Zandman博士的同事J.E. Starr發明了箔阻抗應變計也成為了當時威世產品的一部分。

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