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晶體管 EMD12T2R 雙極 (BJT) - 陣列

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產品信息

EMD12T2R介紹：

描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

制造商標準提前期 10 周

詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

類別分立半導體產品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

晶體管類型 1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V

電阻器 - 基底（R1） 47 千歐

電阻器 - 發射極基底（R2） 47 千歐

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA

電流 - 集電極截止（最大值） 500nA

頻率 - 躍遷 250MHz

功率 - 最大值 150mW

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 SOT-563，SOT-666

供應商器件封裝 EMT6

基本零件編號 MD12

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