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晶體管 FDV303N MOSFET

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產品信息

FDV303N介紹：

描述 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

制造商標準提前期 42 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 25V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 25V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 680mA（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 450 毫歐 @ 500mA，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-23

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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