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晶體管 STP55NF06 FET

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

STP55NF06介紹:
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 38 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 60V 50A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMICroelectronics
系列 STripFET?? II
包裝  管件 
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 50A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 18 毫歐 @ 27.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3


具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者.

 憑借在硅晶和系統(tǒng)專業(yè)知識(shí)、強(qiáng)大的制造能力、知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 組合以及戰(zhàn)略合作伙伴等多方面無與倫比的組合,公司一直處于片上系統(tǒng) (SoC) 技術(shù)領(lǐng)域的前沿,并使其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今大融合趨勢的過程中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

 
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公司介紹

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