IPD70N10S3-12介紹:
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 70A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 11.1 毫歐 @ 70A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 4355pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等,晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
Infineon Technologies是各種微電子應(yīng)用中使用廣泛的半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先設(shè)計(jì)企業(yè)、制造商和供應(yīng)商。Infineon的產(chǎn)品組合包括邏輯產(chǎn)品,如數(shù)字、混合信號(hào)及模擬集成電路以及分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品等。