FDS6912A介紹:
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 2 個 N 溝道(雙) Mosfet 陣列 30V 6A 900mW 表面貼裝 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 6A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 28 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 8.1nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 575pF @ 15V 功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝 8-SO
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
ON Semiconductor 擁有全球一流、響應迅速的可靠供應鏈和質量程序,在北美、歐洲和亞太地區的主要市場中運營著包括制造工廠、銷售辦事處及設計中心在內的網絡。