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晶體管 FDS6890A FET-MOSFET

類型：
分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FDS6890A介紹：

描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

制造商標準提前期 23 周

詳細描述 2 個 N 溝道（雙） Mosfet 陣列 20V 7.5A 900mW 表面貼裝 8-SO

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench?

包裝帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 2 個 N 溝道（雙）

FET 功能邏輯電平門

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7.5A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 18 毫歐 @ 7.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 32nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2130pF @ 10V

功率 - 最大值 900mW

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝 8-SO

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

ON Semiconductor -ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推動能效創(chuàng)新，幫助客戶減少總體能源使用。公司提供種類全面的產(chǎn)品組合，具體包括高能效電源和信號管理、邏輯、分立和定制解決方案，能幫助設計工程師解決在汽車、通信、計算、消費電子、工業(yè)、LED 照明、醫(yī)療、軍事/航空航天和電源應用方面的獨特設計難題。

公司介紹

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晶體管 FDS6890A FET-MOSFET

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