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晶體管 RFD3055LESM9A MOSFET - 單

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產品信息

RFD3055LESM9A介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

制造商標準提前期 4 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 60V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 11A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 107 毫歐 @ 8A，5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 38W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 TO-252AA

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優勢得以發揮。

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