TK6A55DA介紹：
描述 MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS 
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 550V 5.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 
晶體管 - FET，MOSFET - 單 
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage 
系列 π-MOSVII 
包裝   管件 
零件狀態(tài) 在售 
FET 類(lèi)型 N 溝道 
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 
漏源電壓（Vdss） 550V 
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5.5A（Ta） 
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.48 歐姆 @ 2.8A，10V 
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 1mA 
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V 
Vgs（最大值） ±30V 
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V 
FET 功能 - 
功率耗散（最大值） 35W（Tc） 
工作溫度 150°C（TJ） 
安裝類(lèi)型 通孔 
供應(yīng)商器件封裝 TO-220SIS 
封裝/外殼 TO-220-3 整包

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。

東芝(Toshiba)，是日本最大的半導(dǎo)體制造商，也是第二大綜合電機(jī)制造商，隸屬于三井集團(tuán)。公司創(chuàng)立于1875年7月，原名東京芝浦電氣株式會(huì)社，1939年由東京電氣株式會(huì)社和芝浦制作所合并而成，業(yè)務(wù)領(lǐng)域包括數(shù)碼產(chǎn)品、電子元器件、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)備、家電等。