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晶體管 FDMC8200 FET-MOSFET

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產品信息

FDMC8200介紹：

描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

制造商標準提前期 18 周

詳細描述 2 個 N 溝道（雙） Mosfet 陣列 30V 6A，8.5A 700mW，1W 表面貼裝 8-Power33（3x3）

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 ON SemIConductor

系列 PowerTrench?

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

FET 類型 2 個 N 溝道（雙）

FET 功能邏輯電平門

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6A，8.5A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 20 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 10nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 660pF @ 15V

功率 - 最大值 700mW，1W

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 8-PowerWDFN

供應商器件封裝 8-Power33（3x3）

晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。

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