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晶體管 SI4800BDY-T1-E3 表面貼裝

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產品信息

SI4800BDY-T1-E3介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

制造商標準提前期 33 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 30V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6.5A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 18.5 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 13nC @ 5V

Vgs（最大值） ±25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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