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晶體管 RN4987FE,LF(CT 雙極 (BJT)

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產品信息

RN4987FE,LF(CT介紹：

描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商標準提前期 16 周

詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

類別分立半導體產品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 -

包裝帶卷（TR）

零件狀態在售

晶體管類型 1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V

電阻器 - 基底（R1） 10 千歐

電阻器 - 發射極基底（R2） 47 千歐

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA

電流 - 集電極截止（最大值） 500nA

頻率 - 躍遷 250MHz，200MHz

功率 - 最大值 100mW

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 SOT-563，SOT-666

供應商器件封裝 ES6

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。

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