意法半導體推出了采用先進的
PowerFLATTM 5x6雙面散熱(D
SC)封裝的MOSFET晶體管,新
產品可提高汽車系統電控單
元(ECU)的功率密度,已被為
全球所有的汽車廠商提供先
進技術的汽車零配件大廠電
裝株式會社選用。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F
6AG是40V功率晶體管,可用于
汽車電機控制、
電池極性接反
保護和高性能功率
開關。厚度
0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC
封裝保留了標準封裝的尺寸和
高散熱效率的底部設計,同時
將頂部的源極曝露在外面,以
進一步提升散熱效率,這樣設
計讓內部芯片有更高的額定輸
出電流,提高功率密度,讓設
計人員能夠研發更小的電控單
元,而無需在功能、性能和可
靠性之間做出取舍。
新產品STLD200N4F6AG和STLD1
25N4F6AG的最大漏極電流120A,
最大導通
電阻分別為1.5 m?和
3.0 m?,保證高能效,簡化系
統熱管理。此外,總柵電荷分
別為172nC和91nC,器件本身
電容很低,有助于在高速開關
時提高能效。
這兩款40V MOSFET器件是意法
半導體一個新產品家族的首批
產品,采用意法半導體的STri
pFET? F6技術和槽柵結構,額
定電流和電壓范圍寬廣,適用
于汽車產品。新MOSFET可以用
于極其惡劣的工作環境,包括
最高175°C的發動機艙。這些
產品100%經過雪崩額定值測試
其封裝的可潤濕側翼引線可實
現最佳焊接效果,100%支持自
動光學檢查。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG
通過AEC-Q101認證,即日上市。
此外,該產品家族今年還將推
出STripFET F7產品。