制造商
Infineon Technologies 
 
制造商零件編號
SI4410DYTRPBF 

類別 分立半導體產品   
晶體管 - FET，MOSFET - 單   

制造商Infineon Technologies 

系列HEXFET?  

包裝 ? 帶卷（TR） ?  

FET 類型 N 溝道  

技術 MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 30V  

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 10A（Ta）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 10V  

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1585pF @ 15V  

Vgs（最大值） ±20V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）  

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 13.5 毫歐 @ 10A，10V  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝  

供應商器件封裝 8-SO  

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 

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