制造商
Infineon Technologies 
 
制造商零件編號(hào)
IRLMS5703TRPBF 

類別  分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   
晶體管 - FET，MOSFET - 單   

制造商Infineon Technologies 

系列HEXFET?  

包裝 ? 帶卷（TR） ?  

FET 類型 P 溝道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 30V  

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2.4A（Ta）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V  

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V  

Vgs（最大值） ±20V
 
FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）  

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 180 毫歐 @ 1.6A，10V  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝  

供應(yīng)商器件封裝 MICro6?（TSOP-6）  

封裝/外殼 SOT-23-6 

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