類別    分立半導體產品   
晶體管 - FET，MOSFET - 單   

制造商Infineon Technologies 

系列HEXFET?  

包裝 ? 管件 ?  

FET 類型 N 溝道  

技術 MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 100V  

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 71nC @ 10V  

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V  

Vgs（最大值） ±20V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 130W（Tc）  

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 44 毫歐 @ 16A，10V  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 通孔  

供應商器件封裝 TO-220AB  

封裝/外殼 TO-220-3 
 
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