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BSP149L6327 INFINEO 分立半導體產品

產品信息


Digi-Key 零件編號 BSP149L6327HTSA1TR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
BSP149L6327HTSA1
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 660mA(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 400μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 耗盡模式
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.8 歐姆 @ 660mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-SOT223-4
封裝/外殼 TO-261-4,TO-261AA
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