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FQB50N06 ON 分立半導體產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

Digi-Key 零件編號 FQB50N06LTMFSTR-ND
廠方庫存 ?: 16,000 
制造商
ON SemIConductor
制造商零件編號
FQB50N06LTM
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 52.4A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1630pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),121W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 21 毫歐 @ 26.2A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK(TO-263AB)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
前有報道稱,長江存儲正在迅速開發(fā)3D NAND閃存,要知道這項時下最先進的內(nèi)存技術(shù)正由三星公司主導并發(fā)展著。McClean搞不懂了,中國企業(yè)是如何避開三星專利做出3D NAND的……
 
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公司介紹

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