Digi-Key 零件編號 FQPF10N60C-ND
檢查提前期
制造商
ON SemIConductor
制造商零件編號
FQPF10N60C
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 9.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 50W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 730 毫歐 @ 4.75A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220F
封裝/外殼 TO-220-3 整包
三星是全球最大的存儲芯片廠商,其DRAM產品市場占比約48%,NAND Flash產品市場占比約35.4%。DRAM、NAND Flash是存儲芯片兩大主力產品,前者主要用于內存,后者用于存儲數據的閃存。兩類產品在手機、電腦、服務器市場廣泛應用。根據分析機構中國閃存市場(CFM)提供數據,2017年,全球存儲芯片市場規模950億美元,其中DRAM約503.5億美元,NAND約400億美元。