制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IRF5803TRPBF
描述 MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 18 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) MICro6?(TSOP-6)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 3.4A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 112 毫歐 @ 3.4A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 Micro6?(TSOP-6)
封裝/外殼 SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
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